Όπως ίσως θα γνωρίζετε, η Qualcomm παρουσίασε πριν από λίγο καιρό το νέο, κορυφαίο SoC της, το Snapdragon 835. Το συγκεκριμένο SoC αναμένεται να βρίσκεται στο εσωτερικό του επερχόμενου Samsung Galaxy S8, όπως και σε άλλες ναυαρχίδες του 2017. Λίγο καιρό πριν την παρουσίαση του S8 όμως, το SoC εμφανίστηκε σε μια εφαργογή μετρήσεων, δίνοντας μας μια γεύση από το τι να περιμένουμε.
Το 835 εμφανίστηκε στην εφαρμογή χρονισμένο στα 1,9 GHz, χαμηλότερα από το μέγιστο δυνατό χρονισμό των 2,45 GHz. Το κορυφαίο σκορ στο Geekbench το κατείχε το Galaxy S7 με Snapdragon 820 SoC χρονισμένο στα 1,6 GHz, σημειώνοντας 1.785 στο single-core test. Το Snapdragon 835 ξεπέρασε κατά πολύ το συγκεκριμένο σκορ, φτάνοντας για πρώτη φορά τους 2.004 πόντους.
Όπως είναι εύκολα αντιληπτό, ο επεξεργαστής του Galaxy S8 θα είναι σίγουρα πιο ισχυρός από αυτόν του Galaxy S7, με καλύτερη διαχείρηση της μπαταρίας, καλύτερα γραφικά και πολλά έξτρα όπως καλύτερη λειτουργία με VR περιεχόμενο!
