Μέσα στην διάρκεια των περασμένων μηνών, η Samsung ανακοίνωσε σχέδια για μαζική παραγωγή DRAM 16 GB LPDDR5 χρησιμοποιώντας την τεχνολογία επεξεργασίας 10nm κατηγορίας (1z) τρίτης γενιάς το δεύτερο εξάμηνο του έτους. Μάλιστα, η εταιρεία λέει τώρα πως έχει δημιουργήσει μια νέα γραμμή παραγωγής στο εργοστάσιο της Pyeongtaek στην Κορέα για να ξεκινήσει την πρώτη ποσότητα τέτοιων μνημών.
Θα παραχθεί μαζικά χρησιμοποιώντας τον κόμβο διεργασίας 10nm-class (1z) τρίτης γενιάς του chaebol χρησιμοποιώντας τεχνολογία υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV).
Σύμφωνα με τον εκτελεστικό αντιπρόεδρο της εταιρείας DRAM Product & Technology Jung-bae Lee, η νέα μνήμη τύπου16 GB LPDDR5 θα ξεπεράσει ένα σημαντικό αναπτυξιακό εμπόδιο στην κλιμάκωση DRAM και θα ανοίξει νέες πόρτες για τη βιομηχανία.
Η νέα μνήμη, σύμφωνα με τη Samsung, θα προσφέρει την υψηλότερη ταχύτητα και τη μεγαλύτερη χωρητικότητα που παρέχεται ποτέ από mobile DRAM. Ενδειτικά, η εταιρεία αναφέρει ότι το πρότυπο LPDDR5 μπορεί να μεταφέρει δεδομένα με ρυθμό 6.400 megabit ανά δευτερόλεπτο (Mb / s), γεγονός που το καθιστά 16% ταχύτερο από τη μνήμη LPDDR5 12 GB που βρίσκεται σε ναυαρχίδες όπως το Galaxy Note 20. Πιο συγκεκριμένα, η παραλλαγή των 16 GB, μπορεί να μεταφέρει 51,2 GB δεδομένων σε ένα δευτερόλεπτο.
Η εμπορευματοποίηση της διαδικασίας 1z σημαίνει επίσης ότι το πακέτο LPDDR5 είναι 30% λεπτότερο από τον προκάτοχό του, πράγμα που σημαίνει ότι θα καταλάβει λιγότερο χώρο μέσα σε smartphone. Το LPDDR5 μπορεί να δημιουργήσει ένα σύνολο μνήμης 16 GB με μόλις οκτώ chips, ενώ ο προκάτοχός του χρειάζεται 12 chips για να προσφέρει την ίδια χωρητικότητα.
Ενώ είναι δεδομένο ότι το Galaxy S21 (S30) και άλλα επερχόμενα Android smartphones της εταιρείας θα δούμε την νέα μνήμη LGBDDR5 16 GB, η Samsung επιβεβαίωσε ότι δεν θα περιορίζεται μόνο στα δικά της τηλέφωνα.
[via]
