Είναι ιδέα μας ή οι φήμες εμφανίζονται όλο και πιο νωρίς τα τελευταία χρόνια; Με μια γρήγορη ματιά στα τελευταία νέα, μπορεί ο καθένας να βρει εύκολα ειδήσεις ή φήμες για το επερχόμενο Samsung Galaxy S8. Τώρα, μαθαίνουμε πληροφορίες και για τα χαρακτηριστικά του ή ακόμη καλύτερα, για το Snapdragon 830 SoC.
Σύμφωνα με αναφορές, η Samsung υπέγραψε συμφωνία με τη Qualcomm, ώστε να κατασκευάσει αποκλειστικά το Snapdragon 830 SoC. Επιπροσθέτως, το SoC θα κατασκευαστεί στη λιθογραφική διαδικασία των 10 nm της Samsung. Σαν ιδεά, η συγκεκριμένη φήμη προϋπήρχε εδώ και καιρό, ενώ αν θυμάστε, η Samsung είχε αναφέρει τον Φεβρουάριο του 2015, ότι η τεχνολογία FinFET είναι πολύ ευκολότερο να «μειωθεί» στη λιθογραφική διαδικασία των 7 nm, καθώς δεν υπάρχει καμία τεχνική δυσκολία πριν τα 5 nm.
Η διαδικασία θα εξελιχθεί από κοινού μεταξύ των δύο εταιρειών. Θα ονομάζεται FoPLP (Fan-out Panel Level Package) και θα στοχεύει στην ελαχιστοποίηση της ανάγκης εκτυπωμένων circuit boards. Αυτό, θα μειώσει το κόστος παραγωγής και το πάχος ακόμη περισσότερο. Ακόμη, θα έχουμε και ακόμη καλύτερη κατανάλωση ενέργειας.
Όλα αυτά συνδυασμένα, μαζί με τη γνώση του παρελθόντος, αφήνουν ελάχιστα περιθώρια για αμφισβήτηση σχετικά με το SoC του Galaxy S8. Μαζί με το Snapdragon 830, το άλλο SoC που θα δούμε στη συσκευή θα είναι το Exynos 8895. Αν οι πληροφορίες αληθεύουν, και τα δύο θα είναι κατασκευασμένα στη λιθογραφική διαδικασία των 10 nm.
Βέβαια, ο ανταγωνισμός δεν κοιμάται. Η TSMC αναμένεται σύντομα να αρχίσει να κατασκευάζει και αυτή στα 10 nm, έτσι αναμένουμε μεγάλες μάχες στο συγκεκριμένο χώρο για το 2017.
[via]
