Πάνε μήνες τώρα που η Samsung έχει κηρύξει την έναρξη εργασιών για τα πρώτα chipset μνημών τύπου GDDR6 σύμφωνα με μια διαδικασία των 10nm για κάρτες γραφικών και τώρα στα ίδια εργαστήρια έχουν ξεκινήσει τα πρώτα chipsets 8GB LPDDR5 για τα τηλέφωνα επόμενης γενιάς. Αυτά τα chipsets υπόσχονται ποσοστά μεταφοράς έως και 6.400Mbps, βελτίωση 50% σε σχέση με τα τρέχοντα κορυφαία LPDDR4X στα 4.266 Mbps. Αυτή η ταχύτητα είναι εφικτή όταν τα chipsets τροφοδοτούνται με τάση 1.1V, για λειτουργία χαμηλότερης ισχύος, μια λειτουργία 1.05V είναι διαθέσιμη στα 5.500Mbps.
Η τάση δεν είναι σταθερή, ωστόσο, αλλάζει με βάση την ταχύτητα λειτουργίας. Η λειτουργία που ονομάζεται λειτουργία βαθιά ύπνου απαιτεί περίπου μισή ενέργεια από την LPDDR4X, επομένως αναμένεται εξοικονόμηση ρεύματος 30%.
Από την Samsung πιστεύουν πως θα υπάρχει υψηλό εύρος ζώνης αυτών των chipsets που θα αξιοποιηθεί για εφαρμογές με τεχνολογία AI και σε τηλέφωνα με δυνατότητα 5G.
Η Samsung θα κατασκευάσει τη νέα μνήμη RAM στην εγκατάσταση της στο Pyeongtaek της Κορέας.
[via]