Ενώ η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή του chip επόμενης γενιάς 5 nm, η εταιρεία εργάζεται επίσης σκληρά για να βελτιώσει την τρέχουσα διαδικασία 7nm. Ο κορεάτης τεχνολογικός γίγαντας ανακοίνωσε ότι έχει επιτύχει την εφαρμογή της τεχνολογίας τρισδιάστατης στοίβας σε ακραία chips των 7 nm με βάση το υπεριώδες φως (EUV).
Η Samsung αποκαλεί την τεχνολογία ως eXtended-Cube ή X-Cube και περιλαμβάνει τη στοίβαξη του SRAM. Αυτό γίνεται χρησιμοποιώντας τεχνολογία της Samsung μέσω πυριτίου μέσω (TSV) που χρησιμοποιεί μικροσκοπικές τρύπες για τη διασύνδεση στρώσεων σε chips.
Αυτή η διαδικασία διαφέρει σημαντικά από αυτήν που χρησιμοποιείται στους ημιαγωγούς συμβατικών συστημάτων που έχουν τις λογικές μήτρες όπως CPU και GPU στο ίδιο επίπεδο με το SRAM. Στην περίπτωση του X-Cube, στοιβάζει το SRAM πάνω από τις λογικές μήτρες που καταλαμβάνει λιγότερο χώρο και βοηθά στην αποτελεσματικότερη εξοικονόμηση ενέργειας. Η Samsung αποκάλυψε επίσης ότι η νέα διαδικασία θα οδηγήσει σε αύξηση της ταχύτητας μεταφοράς δεδομένων.
Ο γίγαντας της Νότιας Κορέας διαβεβαίωσε ότι θα συνεχίσει να ωθεί τα όρια όσον αφορά την ανάπτυξη της νέας τεχνολογίας για την πρόοδο της τεχνολογίας ημιαγωγών. Δεν έχουμε ιδέα για το πού θα εφαρμόσει πρώτα η Samsung αυτό το chipset, αλλά υπάρχουν εικασίες ότι το Galaxy S1 μπορεί να χρησιμοποιήσει μια βελτιωμένη έκδοση του Exynos 990, ενώ το Galaxy S21 Ultra θα έχει το μοντέλο Exynos 1000 5nm.
[via]