Μπορεί να έχουν περάσει μερικές ημέρες από τότε που η Qualcomm παρουσίασε επίσημα το νέο SoC Snapdragon 820, αλλά οι φήμες για την επόμενη γενιά έχουν αρχίσει ήδη να εμφανίζονται στο διαδίκτυο. Το SoC Snapdragon 830, φημολογείται ήδη ότι θα κατασκευαστεί στη λιθογραφική διαδικασία των 10 nm, βασισμένο στην τεχνολογία της Samsung. Κάτι τέτοιο έχει μια βάση αλήθειας, καθώς αναμένουμε το Snapdragon 830 να ανακοινωθεί σε περίπου ένα χρόνο, ημερομηνία που συμπίπτει με τη μαζική κυκλοφορία των Samsung SoCs στα 10 nm.
Πέρα από τη λιθογραφική διαδικασία, που θα συνεισφέρει στην αύξηση των επιδόσεων και τη μείωση της ενέργειας που απαιτείται, αναφορές υποστηρίζουν ότι το Snapdragon 830 θα υποστηρίζει μέχρι και 8 GB RAM. Δεδομένου ότι το Snapdragon 820 υποστηρίζει «LPDDR4 1866MHz Dual Channel memory», είναι λογικό ο διάδοχός του να υποστηρίζει dual-channel memory, αλλά αυτή τη φορά μέχρι και 8 GB.
Η Samsung ανακοίνωσε τον περασμένο Σεπτέμβριο ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή 12 GB LPDDR4 RAM chips, κατασκευασμένα στη λιθογραφική διαδικασία των 20 nm και τόνισε ότι η συγκεκριμένη κίνηση ανοίγει το δρόμο για smartphones με 6 GB RAM. Με 8 bits σε ένα byte, το 12 Gb chip διαθέτει 1,5 GB μνήμης και με την τοποθέτηση τεσσάρων τέτοιων chips, οι μελλοντικές ναυαρχίδες θα μπορούν να διαθέτουν μέχρι 6 GB DDR4 RAM. Ίσως την ίδια εποχή τον επόμενο χρόνο, δούμε τη Samsung να ανακοινώνει 16 Gb chips, κατασκευασμένα σε ακόμα νεότερη λιθογραφική διαδικασία, ακριβώς πάνω στην εποχή που θα παρουσιάζεται το Snapdragon 830.
Το αν χρειαζόμαστε τόσο μεγάλη ποσότητα RAM είναι ξεχωριστό ερώτημα, αλλά μια τέτοια κίνηση θεωρητικά μπορεί να είναι χρήσιμη για εξειδικευμένα tablets ή για μελλοντικά laptops με ARM chipsets. Ο αναλυτής που ανέφερε την υποστήριξη 8 GB RAM στο Snapdragon 830, υποστηρίζει ακόμη ότι το SoC θα έρθει με κωδική ονομασία «8998». Όπως και να έχει, απομένει αρκετός καιρός ακόμη μέχρι να δούμε το Snapdragon 830 να παρουσιάζεται επίσημα και μέχρι τότε είναι σίγουρο ότι θα δούμε πολλές φήμες.
[via]