Ανατρέπονται κάποια δεδομένα για τον Snapdragon 845 της Qualcomm που θα δούμε σε επερχόμενα μοντέλα τηλεφώνων πολλών κατασκευαστών. Πρόσφατε πληροφορίες λένε πως η Qualcomm μπορεί να κυκλοφορήσει τον 845 πριν από το τέλος του τρέχοντος έτους ενώ έχουμε πληροφορία οτι θα κατασκευαστεί με τεχνολογία FinFET 10nm και όχι στα 7nm όπως ισχυρίζονται πολλές φήμες.
Το μοντέλο chipset Snapdragon 835 που είναι βασίζεται στην χρήση τεχνολογίας FinFET 10nm, υπάρχει στο εσωτερικό διαφόρων φανταστικών smartphones αυτού του έτους, ενώ και ο Snapdragon 845 αναμένεται να τροφοδοτήσει κορυφαία τηλέφωνα του 2018 όπως το Samsung Galaxy S9, το LG G7, το Xiaomi Mi 7 και ούτω καθεξής και κατ’ επέκταση όπως γράφεται τώρα θα είναι το δεύτερο chipset 10nm της Qualcomm.
Πρέπει να τονίσουμε πως το νέο αυτό chipset δεν έχει αποκτήσει επίσημα ακόμα το κωδικό όνομα “845” από την γνωστή κατασκευάστρια ημιαγωγών με έδρα τις ΗΠΑ, όμως πριν λίγους μόνο μήνες βρέθηκε μια αναφορά «SDM845» σε ένα από τα έγγραφα που υπέβαλε η Qualcomm στην ITC κατά την κατάθεση μιας υπόθεσης εναντίον της Apple. Πιστεύεται πως θα έχει αναβαθμισμένους πυρήνες Kryo, GPU Adreno με βελτιωμένες λειτουργία για AR,VR και XR.
Η Qualcomm πέρσι ανακοίνωσε τον Νοέμβριο του 2016 για το μοντέλο SD 835 και πρώτα το είδαμε στο Galaxy S8, ενώ ευνοϊκά θα είναι και φέτος τα πράγματα για την Samsung αφού και το νέο chipset θα μπει πρώτα στα Galaxy S9 και S9+.
Φήμες περιγράφουν πως θα υπάρξει έκδοση του Galaxy S9 με ενσωματωμένο το chipset Exynos 9810, με δυνατότητες Al και θα είναι κατασκευασμένο βάση της λιθογραφικής διαδικασίας των 7nm ή 8nm.
[via]