Με εντολή δικαστηρίου η Samsung υποχρεούται να καταβάλλει ως χρηματική αποζημίωση στην Apple το χρηματικό ποσό των 538,6 εκατ. δολαρίων για παραβίαση ορισμένων διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας της Apple που σχετίζονται με το σχεδιασμό του iPhone. Σήμερα γίνεται γνωστό πως η νοτιοκορεάτικη εταιρεία δεν μένει και πολύ “ήσυχη” και για αυτό πιάστηκε να έχει καταχραστεί πατέντα του KAIST IP US (Κορεατικό Ινστιτούτο Επιστήμης και Τεχνολογίας), γεγονός που οδήγησε σε απόφαση της ομοσπονδιακής επιτροπής να τιμωρήσει ξανά την Samsung για παραβίαση διπλώματος ευρεσιτεχνίας των ΗΠΑ που αγορά τώρα την τεχνολογία FinFET.
Το ποσό που οφείλει η Samsung στο KAIST IP US (Κορεατικό Ινστιτούτο Επιστήμης και Τεχνολογίας) είναι 400 εκατ. δολάρια. Επειδή η επιτροπή αποφάσισε ότι η Samsung παραβίασε εσκεμμένα το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας, ο δικαστής έχει την επιλογή να επιβάλει πρόστιμο έως και τρις φορές πιο πάνω φθάνοντας τα 1,2 δις. δολάρια. Εκτός από τη Samsung, η Qualcomm και η GlobalFoundries Inc. διαπίστωσαν επίσης ότι παραβίασαν το ίδιο δίπλωμα ευρεσιτεχνίας. Ωστόσο, οι υπόλοιποι γλίτωσαν την καταβολή αποζημίωσης.
Το FinFET είναι ένα τρανζίστορ που χρησιμοποιείται στο σχεδιασμό επεξεργαστών που χρησιμοποιούν ηλεκτρόδια πύλης με σχήμα πτερυγίου.Η τεχνολογία επιτρέπει πολλαπλές πύλες να ανοίγουν σε ένα μόνο τρανζίστορ, επιτρέποντας βελτιωμένες επιδόσεις και λιγότερη κατανάλωση ενέργειας σε chip μικρότερων διαστάσεων.
Σύμφωνα με την καταγγελία, η Samsung απέρριψε αρχικά τη χρήση του FinFET. Στην συνέχεια όμως η Sammy άλλαξε άποψη όταν η Intel χορήγησε άδεια στο FinFET για τα δικά της chipsets. Η Samsung αρνήθηκε τα όσας της προσάπτουν, δηλώνοντας ότι συνεργάστηκε με το Πανεπιστήμιο για την ανάπτυξη του FinFET. Ο τεχνολογικός γίγαντας πρόσθεσε ότι πιστεύει ότι το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας είναι άκυρο και θα εξετάσει το σενάριο για νέα προσφυγή της.
[via]