Μιλώντας για επεξεργαστές smartphones/tablets το πρώτο πράγμα που πρέπει να έχουμε στον νου μας είναι το τρίπτυχο «απόδοση, ισχύς και τιμή». Ο επεξεργαστής είναι ο εγκέφαλος των συσκευών και για αυτό οι κατασκευαστές διαρκώς προσπαθούν να βελτιώσουν τα chips τους, έτσι λοιπόν η IBM δεν εφησυχάζεται με τίποτα και θέλει να κάνει νέα βήματα, για αυτό σε συνεργασία με τη Samsung και την GlobalFoundries (η οποία κατασκευάζει chips για Qualcomm και AMD, μεταξύ άλλων), έχει αναπτύξει μια διαδικασία για την κατασκευή 5nm chips.
Προτού δύο ετών η IBM παρουσίασε την αρχιτεκτονική των 7nm και η Samsung πιθανότατα θα φέρει το chip στην αγορά από του χρόνου. Ωστόσο, η σημερινή ανακοίνωση αφορά σε μια ακόμα πιο σημαντική ανακάλυψη στον σχεδιασμό των chip.
Ως προς την δομή του, το νέας γενιάς chip 5nm χρησιμοποιεί “gate-all-around” transistor (GAAFET), με το υλικό της “πύλης” τυλιγμένο γύρω από ένα τρίο οριζόντιων “nanosheets” πυριτίου, ενώ το κάθετο fin design (FinFET) χρησιμοποιείται στα σημερινά chips. Η IBM ισχυρίζεται ότι το FinFET θα μπορούσε ενδεχομένως να μειωθεί σε 5nm, αλλά υπάρχει ένα ανώτατο όριο απόδοσης σε αυτό το σχέδιο λόγω των ορίων της ροής ρεύματος μέσω των μικροσκοπικών πτερυγίων σε αυτή την κλίμακα. Κατά κάποιον τρόπο, η αρχιτεκτονική “gate-all-around” είναι πιο απλή από τη FinFET και πιθανόν να μπορεί να κλιμακωθεί έως 3nm.
Ποιο το μεγαλύτερο όφελος; Κατά τους ισχυρισμούς της IBM τα τσιπ με τον νέο σχεδιασμό θα παρέχουν έως και 40% καλύτερη απόδοση συγκριτικά με τα τσιπ των 10nm, οπότε θα παρέχει βελτιστοποιημένες εμπειρίες για τις ανάγκες των τελικών χρηστών. Εξίσου θετικό είναι πως θα επιτυγχάνει εξοικονόμηση ενέργειας έως και 75% στο επίπεδο της τρέχουσας γενιάς. Α και κάτι ακόμη, η νέα διαδικασία λιθογραφίας EUV (Extreme Ultraviolet) που χρησιμοποιείται εδώ επιτρέπει επίσης να ρυθμίζεται συνεχώς το πλάτος του nanosheet σε ένα ενιαίο σχέδιο τσιπ, το οποίο σημαίνει ότι τα κυκλώματα μπορούν να ρυθμιστούν με ακρίβεια για ισχύ και απόδοση σε ένα πέρασμα κατασκευής.
[via]