Η Samsung θα προωθήσει το πρότυπο UFS 3.0 από το 2019, ενώ το LPDDR5 ξεκινά σε δύο περίπου χρόνια

Στην διάσκεψη Qualcomm 4G/5G στο Χονγκ Κονγκ, ο ανώτερος επικεφαλής του τμήματος σχεδιασμού προϊόντων μνήμης για mobile συσκευές της Samsung, ο Jay Oh αποκάλυψε ότι το επόμενο κύμα προϊόντων Unified File Storage (UFS) θα ξεκινήσει το πρώτο εξάμηνο του 2019.

Το UFS 3.0 θα είναι διαθέσιμο σε παραλλαγές αποθήκευσης των 128GB, 256GB και 512GB και αν ψάχνετε για ακόμα μεγαλύτερη χωρητικότητα, η Micron δήλωσε ότι το πρώτο κύμα τηλεφώνων με 1TB εσωτερικής αποθήκευσης θα κάνει το ντεμπούτο του εντός του 2021. Το Smartisan R1 έρχεται με συνολική χωρητικότητα 1TB, αλλά είναι πιθανό ότι μια συγκεκριμένη συσκευή χρησιμοποιεί δύο μονάδες αποθήκευσης 512GB. Η πρώτη ολοκληρωμένη μονάδα 1TB θα αποκαλυφθεί το 2021.

Η όλη μεγάλη πρόοδος που σημειώθηκε στο τμήμα τεχνολογίας 3D NAND επιτρέπουν στους κατασκευαστές μνήμης να αυξήσουν την πυκνότητα αποθήκευσης διατηρώντας το ίδιο αποτύπωμα. Το UFS 3.0 πρόκειται να έρθει με μια δραματική αύξηση απόδοσης, με τη Samsung να αυξάνει κατά 2 φορές το εύρος ζώνης της μνήμης. Το UFS 2.1 είναι σήμερα το πιο διαδεδομένο πρότυπο για flash memory στον χώρο των κινητών τηλεφώνων, οπότε θα είναι ενδιαφέρον να δούμε τι μπορεί να προσφέρει το νέο πρότυπο UFS 3.0.

Παράλληλα με τις λύσεις αποθήκευσης, η Samsung και η Micron είπαν επίσης ότι θα εγκαταστήσουν το LPDDR5 το 2020. Η Samsung αναφέρει ότι θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή το 2020, με το LPDDR5 να προσφέρει πολύ μεγαλύτερο εύρος ζώνης – από 44GB / s έως 51,2GB / s – άνοδος της τάξεως του 20%.

Με τα νέα δίκτυα 5G, χρειάζεται ένα ταχύτερο αποθηκευτικό πρότυπο για να διευκολυνθεί η νέα εξέλιξη των εμπειριών που θα κυκλοφορήσουν και το UFS 3.0 θα βρίσκεται στην πρώτη γραμμή αυτής της αλλαγής. Η Qualcomm συνεργάζεται με μια σειρά συνεργατών για να προωθήσουν τις συσκευές με δυνατότητα 5G και η Samsung στρέφεται στην δικιά της επιχείρηση επεξεργαστών Exynos με ένα εσωτερικό μόντεμ 5G. Η Huawei επεξεργάζεται επίσης τη δική της λύση για το 5G.

[via]