Στο ετήσιο Foundry Forum της Samsung που έγινε την περασμένη εβδομάδα στις ΗΠΑ, η εταιρεία αποκάλυψε το δικό της roadmap που περιλαμβάνει τις τεχνολογίες επεξεργασίας chipsets των 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early και 3nm Gate-All-Around Early / Plus. Η διαδικασία LPN των 7nm θα είναι η πρώτη που θα χρησιμοποιήσει λιθογραφική λύση τύπου EUV και θα είναι έτοιμη για παραγωγή κατά το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους. Η μαζική παραγωγή εξαρτημάτων που χρησιμοποιούν τη νέα διαδικασία θα ξεκινήσει κατά το πρώτο εξάμηνο του 2019.
Τα chipsets που βασίζονται στο πρότυπο 5nm LPE της Samsung θα παρέχουν εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, ενώ όσα χρησιμοποιούν το FinFET θα κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας τη διαδικασία 4nm Low Power Early / Plus. Λοιπόν, τα μοντέλα chipset με αυτή την τεχνολογία επεξεργασίας θα έχουν βελτιωμένη απόδοση και μικρότερο μέγεθος κελιού. Και τα δύο θα ξεκινήσουν την παραγωγή τους το 2019 και 2020, αντίστοιχα. Νωρίτερα φέτος, υπήρξε η φήμη πως η Samsung θα κατασκευάσει την νέα mobile πλατφόρμα Snapdragon 855 των 7nm η οποία αναμένεται να τροφοδοτεί το Samsung Galaxy S10 του επόμενου έτους.
Ξεκινώντας από τον κόμβο των 3nm, η Samsung θα χρησιμοποιήσει τη δική της επόμενη γενιά GAA (Gate all-around) αρχιτεκτονικής MBCFET (multi-bridge-channel FET). Η παραγωγή 3nm δεν αναμένεται να ξεκινήσει μέχρι το 2022. Λάβετε υπόψη ότι όσο μικρότερο είναι το μέγεθος του κόμβου, τα chipsets που παράγονται με αυτή την διαδικασία είναι πιο ισχυρά και ενεργειακά πολύ πιο αποδοτικά.
[via]
