Το πράσινο φως έδωσε η Samsung ώστε να ξεκινήσει τώρα κανονικά η μαζική παραγωγή chip δεύτερης γενιάς των 10nm DDR4 DRAM χωρητικότητας 8GB που θα αποτελέσει την εξέλιξη του σημερινού προτύπου μνήμης DDR4 RAM.
Η νέα γενιά μνήμης RAM 10nm είναι περίπου 10% ταχύτερη και κατά 15% αποδοτικότερη από την προηγούμενη. Το νέο memory chip των 8GB DD4 μπορεί να λειτουργεί σε 3.600 megabit ανά δευτερόλεπτο σε σύγκριση με τα 3.200 Mbps της προηγούμενης γενιάς.
Όλα αυτά σημαίνουν ότι η Samsung έχει δημιουργήσει τώρα μια καλύτερη βάση σύμφωνα με την οποία θα όπου να ‘ναι την την παραγωγή ταχύτερης μνήμης RAM που θα χρησιμοποιηθεί σε smartphones, φορητούς υπολογιστές, desktops, smartwatches και σε πλήθος άλλων έξυπνων συσκευών.
[via]